特許
J-GLOBAL ID：200903092657068184
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-335350
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166963
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】放熱性の向上,並びにパッケージ内に侵入した湿気による半導体チップの腐蝕に対して高い耐量が得られるようにした半導体装置、特にその絶縁基板の構造を提供する。【構成】絶縁基板(セラミック基板)1の上に形成した導体パターン3に半導体チップ4をマウントしてなる回路組立体を、放熱用金属ベース7と外装ケース8を組合わせたパッケージ6内に封入して組立てた半導体装置において、絶縁基板1における半導体チップ搭載領域でセラミック板2の厚さを部分的に他の領域よりも肉薄に形成して半導体チップの発熱に対する絶縁基板の熱放散性を高め、さらに導体パターン3のうちチップのマウントエリアについては、該パターンの周縁部を残してその内方面域が凹面を呈するように凹溝加工面3a形成し、外部から侵入した湿気が半導体チップに至る経路の沿面距離を増加させる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成した導体パターンに半導体チップをマウントしてなる回路組立体を、放熱用金属ベースと外装ケースを組合わせたパッケージ内に封入して組立てた半導体装置において、前記絶縁基板における半導体チップ搭載領域の絶縁板厚さを部分的に他の領域よりも肉薄にしたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 23/12 J
, H01L 23/12 F
, H01L 23/36 C
