特許
J-GLOBAL ID：200903092662396513
半導体回路及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-029728
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267587
出願日： 1994年03月11日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】薄膜トランジスタ(TFT)の回路において、低リーク電流のTFTと高速動作が可能なTFTを有する半導体回路及びそのような回路を作製するための方法を提供する。【解決手段】絶縁表面を有する基板と、前記絶縁表面上に形成され、結晶性半導体を含む複数の薄膜トランジスタからなる前記アクティブマトリクス回路と、前記絶縁表面上に形成され、結晶性半導体を含む複数の薄膜トランジスタからなる前記周辺回路とを有する半導体回路において、前記周辺回路は、前記アクティブマトリクス回路を駆動し、前記周辺回路の薄膜トランジスタの活性領域は、ニッケル、鉄、コバルト又は白金を有し、前記アクティブマトリクス回路の薄膜トランジスタの活性領域は、前記ニッケル、鉄、コバルト又は白金を含まないことを特徴とする半導体回路である。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板と、前記絶縁表面上に形成され、結晶性半導体を含む複数の薄膜トランジスタからなる前記アクティブマトリクス回路と、前記絶縁表面上に形成され、結晶性半導体を含む複数の薄膜トランジスタからなる前記周辺回路とを有する半導体回路において、前記周辺回路は、前記アクティブマトリクス回路を駆動し、前記周辺回路の薄膜トランジスタの活性領域は、ニッケル、鉄、コバルト又は白金を有し、前記アクティブマトリクス回路の薄膜トランジスタの活性領域は、前記ニッケル、鉄、コバルト又は白金を含まないことを特徴とする半導体回路。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/20
, H01L 27/08 331
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 27/08 331 E
, H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 618 G
, H01L 29/78 627 G
