半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西藤征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-358199
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164475
出願日： 2000年11月24日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】大きな半導体素子等を実装する場合にも、その反りを抑制することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体素子を熱硬化樹脂系接着剤で配線基板に実装してなる半導体装置である。そして、上記配線基板として、金属箔1を芯材とする配線基板が用いられ、この配線基板の熱膨張率が温度20〜150°Cの範囲で3.0〜4.5ppm/°Cに設定され、実装後の半導体素子の表面の反りが10mmで±1.5μmの反りに設定されている。

請求項（抜粋）：

半導体素子を熱硬化樹脂系接着剤で配線基板に実装してなる半導体装置であって、上記配線基板として、金属箔を芯材とする配線基板が用いられ、この配線基板の熱膨張率が温度20〜150°Cの範囲で3.0〜4.5ppm/°Cに設定され、実装後の半導体素子の表面の反りが10mmで±1.5μmの反りに設定されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/14 , H01L 23/12 , H05K 1/05 , H05K 3/44 , H05K 3/46

FI (8件)：

H05K 1/05 B , H05K 3/44 B , H05K 3/46 L , H05K 3/46 V , H05K 3/46 N , H05K 3/46 U , H01L 23/14 M , H01L 23/12 N

Fターム (37件)：

5E315BB01 , 5E315BB15 , 5E315CC14 , 5E315CC21 , 5E315DD20 , 5E315GG22 , 5E346AA03 , 5E346AA06 , 5E346AA12 , 5E346AA15 , 5E346AA25 , 5E346AA32 , 5E346AA41 , 5E346AA51 , 5E346CC08 , 5E346CC10 , 5E346CC32 , 5E346DD22 , 5E346DD23 , 5E346DD24 , 5E346DD32 , 5E346EE06 , 5E346EE14 , 5E346EE15 , 5E346EE18 , 5E346EE43 , 5E346FF04 , 5E346FF12 , 5E346FF19 , 5E346FF24 , 5E346GG15 , 5E346GG17 , 5E346GG19 , 5E346GG22 , 5E346GG25 , 5E346GG28 , 5E346HH11

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