特許

J-GLOBAL ID：200903092664047338

5酸化タンタル膜の製造方法

発明者： 山口 晃央
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-239335
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057155
出願日： 2000年08月08日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】 5酸化タンタル膜の製造方法に関し、5酸化タンタル膜の膜質向上のための処理工程に伴う酸化膜容量換算膜厚EOTの増加を抑制するとともに、プラズマダメージの発生を防止する。【解決手段】 半導体1上に5酸化タンタル膜2を形成したのち、非酸化性ガス雰囲気5中で熱処理を行って5酸化タンタル膜2を結晶化し、次いで、結晶化温度よりも低い温度において、酸化性雰囲気8中で5酸化タンタル膜6を酸化処理する。

請求項（抜粋）：

半導体上に5酸化タンタル膜を堆積したのち、非酸化性ガス雰囲気中で熱処理を行って前記5酸化タンタル膜を結晶化し、次いで、結晶化温度よりも低い温度において、酸化性雰囲気中で5酸化タンタル膜を酸化処理することを特徴とする5酸化タンタル膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/10 621 Z

Fターム (28件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ01 ,  5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083GA06 ,  5F083JA06 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR12 ,  5F083PR16 ,  5F083PR21