特許

J-GLOBAL ID：200903092667437900

高解像度アクティブ・マトリクスLCDセル設計

発明者： リュウ,マイケル・エス ,  ロー,カ-ラン ,  カルーリ,サーマ・アール
出願人/特許権者： ハネウエル・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-514683
公開番号（公開出願番号）：特表平10-508156
出願日： 1995年10月16日
公開日（公表日）： 1998年08月04日
要約：

【要約】アクティブ・マトリクス・ディスプレイ装置に使用されるトランジスタ・パネルは、透明石英基板上に形成され、かつ行および列内に配置された単結晶シリコンの島を含み、NMOSトランジスタが各島内に形成される。各トランジスタは、ソース領域、ドレイン領域およびチャネル領域、および分離されたピクセル基準電圧領域を含む。シリコン・ボディ・タイは、チャネル領域をピクセル基準電圧領域に接続し、不要なキャリヤに対する電流シンクの働きをし、したがってスナップバック電圧が大幅に増大する。メタライゼーションが各トランジスタまで延び、各ピクセル基準電圧領域と接触して、ボディ・タイ・バスを形成する。ピクセル電極を覆うボディ・タイの一部は、ディスプレイ性能が向上するようにコンデンサを形成するように寸法決定される。独特なボディ・タイ設計により、別個の光遮蔽層が不要になり、著しく大きい口径比が得られ、また通常の高温シリコン・プロセスに適合できる。

請求項（抜粋）：

透明絶縁性基板と、 前記絶縁性基板上に形成され、かつ行および列内に配置された複数の単結晶シリコンの島と、 各前記島内に形成され、ソース領域とドレイン領域が第1の導電型であるソース領域、ドレイン領域およびチャネル領域を有し、前記チャネル領域にゲート電極と、ソース電極およびドレイン電極とを有し、さらに第2の導電型のピクセル基準電圧領域を有し、前記第2の導電型が前記第1の導電型と反対であるNMOSトランジスタと、 前記複数のトランジスタから離間し、それぞれ対応する前記第1のトランジスタの前記ドレイン電極に接続された複数のピクセル電極と、 前記行の方向に延びるように形成され、かつ前記行内の前記トランジスタの前記ゲート電極に接続する複数の制御信号線路と、 前記列の方向に延びるように形成され、かつ前記列内の前記トランジスタの前記ソース電極に接続する複数のデータ信号線路と、 前記ピクセル基準電圧領域から前記チャネル領域まで延びる第2の導電型のシリコン・ボディ・タイ接続と、 各前記第1のトランジスタまで延び、かつ各前記ピクセル基準電圧領域と接触して、ボディ・タイ・バスを形成する第1の透明メタライゼーションとを備えたアクティブ・マトリクス・ディスプレイ装置に使用される薄膜トランジスタ・パネル。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 612 Z ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 626 Z ,  H01L 29/78 627 A ,  H01L 29/78 623 Z