特許

J-GLOBAL ID：200903092668399263

III族窒化物結晶成長装置

発明者： 笹岡 千秋
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-131900
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329976
出願日： 1998年05月14日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体等の半導体薄膜を再現性良く成長させることが可能であり、かつ原料使用効率の高い有機金属気相成長装置を提供することを目的としている。【解決手段】 原料ガス導入管14を備えた反応管15の基板16に対向する内壁に、SiC板19を赤外線吸収層として配置した。赤外線吸収層は、基板に対向する反応管の外壁に設けてもよい。また、反応管の内側あるいは外側の側壁に赤外線吸収層を配置してもよい。さらに、上記赤外線吸収層を加熱する手段を設けてもよい。

請求項（抜粋）：

反応容器中に置かれた基板を加熱し、上記基板上にIII族原子を含む有機金属分子と窒素原子を含む分子とを少なくとも含む原料ガスを供給して成長を行う有機金属気相成長装置において、上記基板に対向する反応容器内壁が赤外線吸収層で覆われてなることを特徴としたIII族窒化物結晶成長装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/31 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 33/00 C