特許
J-GLOBAL ID：200903092668900493
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-158686
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006658
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】 スプリットライト転送モードにおいて誤動作が発生するのを防止する。【構成】 メモリセルMC1A,MC1B,MC2A,MC2B がマトリクス状に配置され、第1のカラムCOL1と第2のカラムCOL2とに分割されるランダムアクセスメモリ部と、ランダムアクセスメモリ部又は外部との間でデータ転送を行うシフトレジスタSR1,SR2 群から成るシリアルアクセスメモリ部と、各カラム毎に設けられたセンスアンプPSA1,NSA1,PSA2,NSA2 とを備えた半導体記憶装置であって、第1のカラムCOL1におけるランダムアクセスメモリ部とシリアルアクセスメモリ部との間でデータ転送を行い、第2のカラムCOL2においてはデータ転送を行わない場合に、第1のカラムCOL1のセンスアンプPSA1,NSA1 は駆動し第2のカラムCOL2のセンスアンプPSA2,NSA2 は駆動しないように、各々のセンスアンプに異なる駆動信号SAP1, バーSAN1,SAP2,バーSAN2を与える経路を備えたことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
メモリセルがマトリクス状に配置され、第1のカラムと第2のカラムとに分割されるランダムアクセスメモリ部と、前記ランダムアクセスメモリ部又は外部との間でデータ転送を行うシフトレジスタ群から成るシリアルアクセスメモリ部と、各カラム毎に設けられたセンスアンプとを備えた半導体記憶装置において、前記第1のカラムにおける前記ランダムアクセスメモリ部と前記シリアルアクセスメモリ部との間でデータ転送を行い、前記第2のカラムにおいてはデータ転送を行わない場合に、前記第1のカラムのセンスアンプは駆動し前記第2のカラムのセンスアンプは駆動しないように、前記各々のセンスアンプに異なる駆動信号を与える経路を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 11/34 362 C
, G11C 11/34 362 G
