特許
J-GLOBAL ID:200903092669100784
通電不良判定装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-086633
公開番号(公開出願番号):特開2000-245054
出願日: 1999年02月21日
公開日(公表日): 2000年09月08日
要約:
【要約】【課題】 通電手段や負荷の通電不良を判定するに当たり、完全な断線やショートでないレアショートや電流のリークについても通電不良として判定すること。【解決手段】 バッテリ1から走行センサSへの電力供給路上に介設したパワーMOSFETQAに第1及び第2の基準MOSFETQB,QB′を並列に接続し、走行センサSに流れる通常の電流の最大値と最小値の電流が流れるように抵抗値を設定した2つのレファレンス抵抗Rr1,Rr2を第1及び第2の各基準MOSFETQB,QB′に各々直列接続して、走行センサSに実際に流れる電流に応じたパワーMOSFETQAのドレイン-ソース間電圧を、レファレンス抵抗Rr1,Rr2に流れる走行センサSの通常電流の最大値と最小値に各々等価な電流に応じた、第1及び第2の各基準MOSFETQB,QB′のドレイン-ソース間電圧と比較し、その比較結果で短絡や断線の発生を判定する。
請求項(抜粋):
電源に通電手段を介して接続された負荷の通電不良を判定する装置であって、前記通電手段は、前記電源と前記負荷との間に直列に接続され、該負荷の前記電源に対する接続をオン、オフするパワーMOSFETと、該パワーMOSFET及び前記負荷の直列回路と並列に接続された基準回路部とを備えており、前記基準回路部は、前記パワーMOSFETと等価な基準MOSFET及び基準抵抗の直列回路を有しており、前記基準抵抗の抵抗値は、前記負荷に通常流れる電流の最大値と等価な基準電流が前記基準MOSFETのドレイン-ソース間に流れる最大電流抵抗値に設定されており、前記パワーMOSFETドレイン-ソース間電圧と前記基準MOSFETのドレイン-ソース間電圧との差を基に、前記通電手段及び前記負荷における短絡状態を判定する短絡判定手段をさらに備え、前記短絡判定手段は、前記通電手段及び前記負荷における短絡状態の判定結果に応じた内容の判定信号を出力する、ことを特徴とする通電不良判定装置。
IPC (6件):
H02H 3/087
, B60R 16/02 650
, G01R 19/00
, G01R 31/02
, H02H 3/12
, H03K 17/08
FI (6件):
H02H 3/087
, B60R 16/02 650 R
, G01R 19/00
, G01R 31/02
, H02H 3/12 A
, H03K 17/08 C
Fターム (67件):
2G014AA02
, 2G014AA03
, 2G014AA16
, 2G014AB07
, 2G014AB20
, 2G014AB24
, 2G014AB38
, 2G014AC19
, 2G035AA11
, 2G035AA12
, 2G035AB03
, 2G035AC15
, 2G035AD02
, 2G035AD03
, 2G035AD04
, 2G035AD10
, 2G035AD13
, 2G035AD23
, 2G035AD26
, 2G035AD28
, 2G035AD44
, 5G004AA04
, 5G004AB02
, 5G004BA03
, 5G004BA04
, 5G004BA05
, 5G004DA02
, 5G004DA04
, 5G004DC14
, 5G004EA01
, 5G004GA02
, 5J055AX31
, 5J055AX36
, 5J055BX16
, 5J055CX28
, 5J055DX13
, 5J055DX15
, 5J055DX17
, 5J055DX22
, 5J055DX53
, 5J055DX54
, 5J055DX60
, 5J055DX73
, 5J055EX04
, 5J055EX06
, 5J055EX11
, 5J055EX23
, 5J055EY01
, 5J055EY03
, 5J055EY05
, 5J055EY12
, 5J055EY13
, 5J055EZ04
, 5J055EZ07
, 5J055EZ10
, 5J055EZ13
, 5J055EZ29
, 5J055EZ30
, 5J055EZ39
, 5J055EZ42
, 5J055EZ55
, 5J055EZ57
, 5J055FX05
, 5J055FX07
, 5J055FX38
, 5J055GX01
, 5J055GX03
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