特許
J-GLOBAL ID:200903092669656774

低反射帯電防止膜の製造方法及び低反射帯電防止膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 泉名 謙治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-267164
公開番号(公開出願番号):特開平5-080205
出願日: 1991年09月18日
公開日(公表日): 1993年04月02日
要約:
【要約】【目的】高硬度,高付着力を持つ低反射帯電防止膜を、高温に加熱することなく、生産性良く製造する。【構成】導電性酸化スズの粒子を分散させた水溶液に、Ti(C5H7O2)n(OR)mを含む液、及びSi(OR)mRn を含む液を添加した液を塗布し、紫外線を照射して高屈折率を有する導電膜を形成する。次いで、Si(OR)mRn を含む液を塗布し、紫外線照射及び加熱して低屈折率膜を形成する。
請求項(抜粋):
導電性を有する高屈折率膜と低屈折率膜とを各々少なくとも1層有する低反射帯電防止膜の製造方法であって、該導電性を有する高屈折率膜の製造工程が、導電性酸化物と、Ti化合物とを含む塗布液を塗布した後紫外線を照射する工程を有することを特徴とする低反射帯電防止膜の製造方法。
IPC (2件):
G02B 1/10 ,  H01J 9/20

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