特許
J-GLOBAL ID：200903092672979738
薄膜半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-043577
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213631
出願日： 1995年02月07日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 薄膜半導体装置に形成される金属配線の断線を防止する為に好適なパタン形状を提供する。【構成】 薄膜半導体装置は絶縁基板1を用いて構成される。絶縁基板1の上には半導体薄膜2が成膜されている。薄膜トランジスタ3はこの半導体薄膜2を活性層として集積形成されている。薄膜トランジスタ3の上には第1層間絶縁膜5を介して金属配線7がパタニング形成されている。この金属配線7は保護膜9により被覆されている。金属配線7はその長手方向に沿って線幅が周期的に変化するパタンを有し、狭幅部10と広幅部11とが交互に配置され且つ連続している。狭幅部10のみが単独で長距離に渡って連続する事がないので、金属配線7の断線確率が低くなる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板と、その上に成膜された半導体薄膜と、該半導体薄膜を活性層として集積形成された薄膜トランジスタと、層間絶縁膜を介して薄膜トランジスタ上にパタニング形成された金属配線と、該金属配線を被覆する保護膜とを備えた薄膜半導体装置であって、前記金属配線はその長手方向に沿って線幅が周期的に変化するパタンを有し、狭幅部と広幅部とが交互に配置され且つ連続している事を特徴とする薄膜半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
, H01L 27/12
