特許

J-GLOBAL ID：200903092673517711

絶縁ゲート型半導体装置

発明者： 北平 康雄 ,  夏目 正
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-237475
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102536
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：

【要約】【目的】パワーMOSFET内蔵のダイオードDを、MOSFETの保護ダイオードとして利用できるようにソフトリカバリー特性を改善する。【構成】N+型層11を有するN型半導体層12の主面にP+型のベース領域13を形成し、ベース領域13の表面にN+ソース領域16を形成し、チャンネル部上にゲート電極17を配置する。P+ベース領域13とN型半導体層12とのPN接合をダイオードDとする。FET素子を配置するセル領域のP+ベース領域13からN+型層までの距離aに対し、素子特性に影響しない外周領域のP+ガードリング領域19からN+型層11までの距離bを大として部分的に蓄積キャリアが大なる領域を形成する。

請求項（抜粋）：

一導電型の高濃度層と低濃度層とを有する半導体基体と、該半導体基体を共通ドレインとし前記低濃度層の表面に形成した逆導電型のベース領域と、該ベース領域の表面に形成した一導電型のソース領域と、前記ベース領域のチャンネル部の上に絶縁膜を介して形成したゲート電極とを具備し、前記半導体基体は素子を形成するセル領域と、該セル領域の外周を囲む外周領域から成る絶縁ゲート型半導体装置において、前記セル領域の前記低濃度層の厚みに対して、前記外周領域の少なくとも一部の前記低濃度層の厚みが大であることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (4件)：

H01L 29/78 301 W ,  H01L 27/08 102 A ,  H01L 29/78 301 K ,  H01L 29/78 655 Z