特許
J-GLOBAL ID：200903092675638249
高周波集積回路、及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-204955
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070061
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：
【要約】【目的】 ポッティングによる樹脂封止を行った際にも該微小フタ内部の半導体素子,及び信号線路に樹脂が接触することがなく、集積回路の電気特性の劣化なく半導体素子を保護することができ、かつ安価な高周波集積回路を得ることを目的とする。【構成】 集積回路基板7a上に、半導体素子11を囲むよう、該集積回路基板7aに対し垂直な方向に直立するよう、かつ一定の高さを有するように微小壁10を設け、該微小壁により形成される,上記半導体素子を囲む空間を密封するように微小フタ15を設けてなる構造とした。
請求項（抜粋）：
高周波集積回路において、その上面に半導体素子を形成してなる集積回路基板と、該集積回路基板上の半導体素子の上部を覆うように形成された微小フタとを備えたことを特徴とする高周波集積回路。
IPC (3件)：
H01L 23/04
, H01L 21/60 321
, H01L 23/12
