成膜方法及び磁気ヘッドの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-076982
公開番号（公開出願番号）：特開平8-269707
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月15日
要約：

【要約】【目的】ソフマック表面の不純物層を除去するために行われるプレスパッタ工程に要する時間の短縮化を図るとともに、成膜されたソフマック薄膜中の不純物量を抑える。【構成】ターゲット材として使用されるソフマック合金の表面に存在する不純物層(有機物を主成分とする汚染物質層及び酸化層)の厚みを10nm以下とする。上記ソフマック合金をターゲットとして用いたスパッタリングを行うに際し、該ソフマック合金の表面が人工ダイヤモンド等により表面仕上げされることが望ましい。

請求項（抜粋）：

スパッタリング法により成膜を行うに際し、ターゲット表面の不純物層の厚みを10nm以下とすることを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 , G11B 5/127 , G11B 5/23

FI (4件)：

C23C 14/34 P , C23C 14/34 A , G11B 5/127 K , G11B 5/23 K

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