半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-042590
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253625
出願日： 2003年02月20日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：

【解決課題】ワックスで支持基板を固定して、半導体ウェハを支持した後、機械的研削、破砕層除去工程により厚み150μm以下に薄層化し、支持基板剥離、洗浄する半導体ウェハの回路非形成面に対する加工工程において、半導体ウェハの破損防止に有用である半導体ウェハの保護方法を提供する。【解決手段】基材フィルムの少なくとも1層が、融点が少なくとも200°C、厚みが10〜200μmである樹脂フィルムであり、該基材フィルムの片表面に150°Cにおける貯蔵弾性率が少なくとも1×105Pa、厚みが3〜100μmである粘着剤層が形成された粘着フィルムを用いることを特徴とする半導体ウェハ保護方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基材フィルムの片表面に粘着剤層を有する半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを、半導体ウェハの回路形成面に貼着する第一工程、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムにワックスを塗布した後、半導体ウェハを支持する支持基板に固定する第二工程、前記支持基板を介して半導体ウェハを研削または研磨機に固定し、半導体ウェハ裏面を加工する第三工程、及びワックスを溶解させ、支持基板と半導体ウェハとを剥離させる第四工程を順次実施する半導体ウェハの回路非形成面の加工工程における半導体ウェハの保護方法であって、前記基材フィルムの少なくとも1層が、融点が少なくとも200°C、厚みが10〜200μmである樹脂フィルムであり、該基材フィルムの片表面に150°Cにおける貯蔵弾性率が少なくとも1×105Pa、厚みが3〜100μmである粘着剤層が形成された粘着フィルムを用いることを特徴とする半導体ウェハ保護方法。

IPC (2件)：

H01L21/304 , H01L21/68

FI (3件)：

H01L21/304 622J , H01L21/304 631 , H01L21/68 N

Fターム (9件)：

5F031CA02 , 5F031DA15 , 5F031HA48 , 5F031HA78 , 5F031MA22 , 5F031MA24 , 5F031MA32 , 5F031MA37 , 5F031MA38

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