半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西澤利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-252477
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129654
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【構成】シリコン半導体1の表面を多孔質化し、その多孔質化シリコン半導体2の上に、エネルギーギャップ2ev以上の化合物層3を積層する。【効果】安価な発光ダイオードが提供されるとともに、シリコンLSIに発光素子を集積するための基盤技術が提供される。

請求項（抜粋）：

シリコン半導体表面を多孔質化し、その上にエネルギーギャップ2ev以上の化合物層を積層してなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 27/15

引用特許：

審査官引用 (2件)

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