特許
J-GLOBAL ID：200903092694079030
光半導体装置及びその製造方法並びに光通信装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-330202
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148542
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：
【要約】【課題】電流狹窄構造を有する光半導体装置において、活性層を含む活性メサストライプ頂上の幅によって規定される電流経路幅を広くして素子抵抗を低減し、動作速度、動作効率、高温動作特性、高出力動作特性、変調帯域等を向上する。【解決手段】選択成長によって、活性層を含む活性メサストライプを逆メサ形状に形成し、活性メサストライプ頂上の幅によって規定される電流経路幅を広くして素子抵抗を低減する。
請求項（抜粋）：
活性層を含む活性メサストライプと、前記活性メサストライプの両脇に形成された電流狹窄構造とを備えた光半導体装置において、前記活性メサストライプが、選択成長によって形成された逆メサ形状であることを特徴とする光半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
5F073AA22
, 5F073AA51
, 5F073AA64
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AB21
, 5F073AB25
, 5F073AB27
, 5F073AB28
, 5F073AB30
, 5F073BA01
, 5F073CA12
, 5F073CA14
, 5F073CA15
, 5F073EA14
