特許

J-GLOBAL ID：200903092696164549

5酸化タンタル膜の製造方法

発明者： 大久保 聡
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-090211
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284345
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 5酸化タンタル膜の製造方法に関し、5酸化タンタル膜の膜質向上のための熱処理工程に伴う酸化膜容量換算膜厚EOTの増加を抑制する。【解決手段】 シリコン1の表面を酸化して酸化珪素膜2を形成したのち、導電体層3を堆積させ、次いで、非酸化性雰囲気中或いは真空中のいずれかにおいて熱処理したのち、導電体層3を除去し、次いで、5酸化タンタル膜5を堆積させたのち、酸化性雰囲気中で熱処理する。

請求項（抜粋）：

シリコンの表面を酸化して酸化珪素膜を形成したのち、導電体層を堆積させる工程、次いで、非酸化性雰囲気中或いは真空中のいずれかにおいて熱処理したのち、前記導電体層を除去する工程、次いで、5酸化タンタル膜を堆積させたのち、酸化性雰囲気中で熱処理する工程を有することを特徴とする5酸化タンタル膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 29/46 R ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 617 V

Fターム (53件)：

4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB28 ,  4M104BB30 ,  4M104CC05 ,  4M104DD28 ,  4M104DD37 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE20 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG19 ,  5F040DC01 ,  5F040EB12 ,  5F040EC04 ,  5F040ED01 ,  5F040ED03 ,  5F040EF02 ,  5F040FA05 ,  5F040FB02 ,  5F040FC21 ,  5F058BD01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BE01 ,  5F058BE02 ,  5F058BF02 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA07 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG28 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HM15 ,  5F110QQ11