特許
J-GLOBAL ID：200903092700789311
集積化光検出器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-132849
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313413
出願日： 2000年04月27日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：
【要約】【課題】 通常のシリコン基板上に作成した複数のフォトダイオード間のクロストークを完全に回避することは極めて困難である。本発明の目的は、このクロストークを完全になくし、独立性のよいフォトダイオードを提供することである。【解決手段】 上記目的を達成するために、各フォトダイオードの回りを箱状の絶縁物で囲う。これにより、各フォトダイオードは電気的に完全に分離され、クロストークを生ずることはない。【効果】 電気的絶縁膜で仕切られた領域にフォトダイオードを形成することにより、フォトダイオード間の光電流クロストークが回避でき、トラッキング特性の劣化を回避できる効果を持つ。同時に、下部のSiO2層に達した入射光がそこで反射され、ふたたびPN接合部にもどるため、光電流が増大し、結果としてフォトダイオードの感度を増大する効果もある。
請求項（抜粋）：
半導体の表面層に形成されたp型、n型あるいは真性半導体( i型)の組み合わせにより形成した複数のpn接合ダイオードあるいはpin接合ダイオード、このダイオードから光電流を取り出すための電極、上記ダイオード表面の大部分の電極のない受光領域からなるフォトダイオードにおいて、このダイオードを複数ケ集積し、各ダイオードを取り囲んで電気的絶縁層を形成したことを特徴とする集積化光検出器。
Fターム (10件)：
5F049MA02
, 5F049MB03
, 5F049NA01
, 5F049NA17
, 5F049NB08
, 5F049PA20
, 5F049QA03
, 5F049QA20
, 5F049SS03
, 5F049SZ16
