特許
J-GLOBAL ID：200903092700958717
エンボス基板及びそれを有する光受容体装置及び方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-518386
公開番号（公開出願番号）：特表平10-512513
出願日： 1996年11月07日
公開日（公表日）： 1998年12月02日
要約：
【要約】エンボス面(21)がプラスチック材料の基板(22)からなり、そして面と、基板の面によって支持されたエンボス面(62)とを有する。エンボス面(62)は100ナノメートル乃至300ナノメートルの平均荒さをもったパターンを有し、荒さが面(62)にわたって実質的に一様に分布され、パターンは峰と谷を有し、隣接した峰及び又は谷間の水平距離が峰と谷との間の深さよりも大きい。ピーク及び谷は、薄い平らな有機層で被覆されたエンボス面(62)が光に曝されるとき干渉効果を最小にし或いは除去するために、そこに当たった光の拡散を生じさせるように周期性なしに無秩序に配置されている。
請求項（抜粋）：
プラスチック材料の基板からなり、そして面と、基板の面によって支持されたエンボス面とを有するエンボス基板において、100ナノメートル乃至300ナノメートルの平均荒さをもったパターンを有し、荒さが面にわたって実質的に一様に分布され、前記パターンは峰と谷を有し、隣接した峰及び又は谷間の距離がピークと谷との間の深さよりも大きく、ピーク及び谷は、エンボス面が光に曝されるとき干渉効果を最小にし或いは除去するために、そこに当たった光の拡散を生じさせるように周期性なしに無秩序に配置されていることを特徴とするエンボス基板。
IPC (11件)：
B32B 3/30
, B29C 59/04
, B32B 7/00
, B32B 27/30
, B32B 27/36
, C09D 7/12
, C09D 11/02
, C09D201/00
, G02B 1/10
, G02B 5/02
, G03G 5/10
B32B 3/30
, B29C 59/04 C
, B32B 7/00
, B32B 27/30 A
, B32B 27/36
, C09D 7/12 Z
, C09D 11/02
, C09D201/00
, G02B 5/02 B
, G03G 5/10 Z
, G02B 1/10 Z
