特許

J-GLOBAL ID：200903092704319484

リセス酸化型電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 岡本 直哉
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-147902
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332718
出願日： 2000年05月19日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】 リセス酸化型電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法に関し、ゲートリセス領域におけるプラズマダメージの発生を防止し、界面準位密度を低減する。【解決手段】 電界効果型化合物半導体装置のゲートリセス領域を化合物半導体層を液相中で酸化した化合物半導体層の酸化物層1で構成するとともに、化合物半導体層の酸化物層1を貫通するゲート電極2を形成する。

請求項（抜粋）：

ソースドレイン間に化合物半導体の酸化物層を設けるとともに、前記化合物半導体の酸化物層を貫通するゲート電極を設けたことを特徴とするリセス酸化型電界効果型化合物半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301

FI (4件)：

H01L 21/28 G ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 F

Fターム (34件)：

4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB02 ,  4M104BB10 ,  4M104CC03 ,  4M104DD15 ,  4M104DD68 ,  4M104EE10 ,  4M104EE14 ,  4M104GG12 ,  4M104HH00 ,  5F102FA01 ,  5F102FA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN01 ,  5F102GN04 ,  5F102GN05 ,  5F102GN07 ,  5F102GN08 ,  5F102GR04 ,  5F102GR09 ,  5F102GR11 ,  5F102GS03 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10