特許

J-GLOBAL ID：200903092704596372

電荷結合素子及びその製造方法

発明者： 田北 慎太郎
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-300462
公開番号（公開出願番号）：特開2001-119015
出願日： 1999年10月22日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】 特性のバラツキの少ない電荷結合素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 電荷結合素子の電荷転送電極を、半導体基板にショットキー接触する第1の電極部と第2の電極部で構成し、クロック電圧を第1の電極部には直接印加し、第2の電極部には容量素子を介して印加する構成とする。また、容量素子を第2の電極部上に重畳された絶縁膜、第3の電極部で構成する。このような構造の電荷結合素子は、半導体基板上にショットキー接続する第1、第2の電極部を形成した後、絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に第3の電極部を形成することによって形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、該半導体基板とショットキー接続する電荷転送電極を備えた電荷結合素子において、一の電荷転送電極が、第1の電極部と、該第1の電極部よりチャネルポテンシャルの低い第2の電極部とで構成され、一のクロック電圧を前記第1の電極部に印加するとともに、前記第2の電極部に容量素子を介して印加することを特徴とする電荷結合素子。

IPC (2件)：

H01L 29/762 ,  H01L 21/339

Fターム (10件)：

4M118AA03 ,  4M118AA10 ,  4M118BA10 ,  4M118BA25 ,  4M118DA18 ,  4M118DA20 ,  4M118DA21 ,  4M118DB06 ,  4M118EA01 ,  4M118EA02