特許
J-GLOBAL ID：200903092706925233
半導体ウェハのための急速加熱及び冷却装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-584512
公開番号（公開出願番号）：特表2002-530883
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2002年09月17日
要約：
【要約】本発明は、熱処理チャンバ内の半導体ウェハを加熱及び冷却するための装置及び方法に関する。特に、本発明の装置は、ウェハが加熱された後にこのウェハを接触的に冷却するための冷却装置を有している。使用中、冷却装置は、ウェハを所望の時期に選択的に冷却するために、チャンバに配置されたウェハに向かって及びウェハから離れる方向に可動である。択一的な実施例においては、プロセスの完了時にウェハの温度を急速に低下させるためにガスをウェハに向かって方向付けることができる。択一的に、ウェハを、積極的かつ選択手金冷却を達成するために冷却部材の近隣へ下降させることができる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハを熱処理するための装置において、 少なくとも1つの半導体ウェハを収容するための熱処理チャンバと、 該熱処理チャンバに収容された半導体ウェハを加熱するための、前記熱処理チャンバに関連した熱源と、 前記熱処理チャンバに収容された半導体ウェハを保持するための基板ホルダと、 前記熱処理チャンバに収容された半導体ウェハを選択的に冷却するための、前記基板ホルダの近傍に配置された冷却装置とが設けられており、該冷却装置が、半導体ウェハの最大処理温度よりも低い温度に維持された冷却部材を有していることを特徴とする、半導体ウェハを熱処理するための装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 B
, H01L 21/26 G
5F045AA03
, 5F045AB31
, 5F045DP04
, 5F045EJ03
, 5F045EJ10
, 5F045EK12
, 5F045GB05
