特許
J-GLOBAL ID：200903092707800442
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-183632
公開番号（公開出願番号）：特開平6-028876
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】メモリ・セル・トランジスタのばらつきによる読出し不良を避け、電源電圧の低電圧化を図る。【構成】読出し時、ワード線6を選択、駆動する場合、コンデンサ17の他端の電圧を0[V]からVccに立ち上げて、コンデンサ17のチャージポンプ作用によって、ノード18の電圧をVcc+αに上昇させ、このVcc+αをワード線駆動電圧としてワード線6に供給する。
請求項（抜粋）：
読出し時、選択されたワード線にその一端を電気的に接続されるコンデンサを設け、前記読出し時、前記選択されたワード線を駆動する場合、前記コンデンサの他端の電圧を低レベルから高レベルに立ち上げて、前記コンデンサの前記一端に電源電圧以上の電圧を得、この電源電圧以上の電圧をワード線駆動電圧として前記選択されたワード線に供給するように構成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
引用特許：
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