特許
J-GLOBAL ID：200903092707826158
デユアルエネルギ半導体センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西田 新
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-154482
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003336
出願日： 1991年06月26日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【目的】 センサ自体でデュアルピークを収集可能で、線量が多くなっても従来の方式に比して正確にデュアルピークを収集することのできる半導体センサを提供する。【構成】 放射線検出用の半導体をそれぞれの厚さ方向に2層に積層し、その重ね合わせ面と、各半導体の重ね合わせ面に対向する面にそれぞれ電極層を形成することにより、2種のエネルギの放射線の検出信号を異なる電極から個別に取り出せるようにする。
請求項（抜粋）：
放射線検出用の半導体が、それぞれの厚さ方向に2層に積層され、かつ、その重ね合わせ面と、各半導体の当該重ね合わせ面に対向する面にはそれぞれ電極層が形成されてなるデュアルエネルギ半導体センサ。
IPC (2件)：
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