特許
J-GLOBAL ID：200903092708447851
電気光学装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
上柳 雅誉
, 宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-058185
公開番号（公開出願番号）：特開2008-216940
出願日： 2007年03月08日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：
【課題】高品質な画像を表示可能な電気光学装置を製造する。【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板(10)上に下地絶縁膜(12)を形成する工程と、下地絶縁膜上に半導体膜(1aa)を形成する工程と、半導体膜に対してエッチング処理を施すことにより、半導体膜を所定パターンにパターニングすることで、トランジスタ(30)を構成する半導体層(1a)を形成すると共に、このエッチング処理を下地絶縁膜に対しても施すことにより、下地絶縁膜の上側表面に凹部(810)を形成する工程と、トランジスタを構成するゲート電極(3b)を、半導体層上におけるチャネル領域(1a’)に重なる本体部(3b1)及びこの本体部から凹部内の少なくとも一部に延設された延設部(3b2)を有するように形成する工程とを含む。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
基板上に、画素電極と、該画素電極と電気的に接続されたトランジスタとを備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、
前記下地絶縁膜上に半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜に対してエッチング処理を施して前記半導体膜をパターニングすることで、前記トランジスタを構成する半導体層を形成すると共に、前記エッチング処理を前記下地絶縁膜に対しても施すことにより、前記下地絶縁膜の上側表面に凹部を形成する工程と、
前記トランジスタを構成するゲート電極を、前記半導体層におけるチャネル領域に重なる本体部及び該本体部から前記凹部内の少なくとも一部に延設された延設部を有するように形成する工程と、
前記トランジスタと電気的に接続されるように、前記画素電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (26件)：
2H092GA11
, 2H092HA03
, 2H092JA24
, 2H092JA38
, 2H092JA39
, 2H092JA40
, 2H092JB23
, 2H092JB24
, 2H092JB56
, 2H092JB68
, 2H092JB69
, 2H092KA18
, 2H092KB25
, 2H092NA11
, 2H092NA27
, 2H092PA09
, 2H092RA05
, 5C094AA25
, 5C094AA43
, 5C094BA03
, 5C094BA43
, 5C094DA13
, 5C094DB01
, 5C094ED15
, 5C094FB14
, 5C094GB10
