特許
J-GLOBAL ID:200903092708888602

ヒートシンク付セラミック回路基板及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 須田 正義
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-184271
公開番号(公開出願番号):特開2003-007939
出願日: 2001年06月19日
公開日(公表日): 2003年01月10日
要約:
【要約】【課題】 熱サイクル寿命を延し、またヒートシンクの放熱特性を良好に保つ。【解決手段】 セラミック基板13の両面には第1及び第2アルミニウム板21,22がAl系の第1及び第2ろう材層11,12を介してそれぞれ積層接着され、第1又は第2アルミニウム板21,22にはヒートシンク15が積層接着される。上記ヒートシンク15は、銅板16と、この銅板16の一方の面に圧延により積層接着された第3アルミニウム板23とにより構成され、この第3アルミニウム板23は第1又は第2アルミニウム板21,22に直接積層接着される。
請求項(抜粋):
セラミック基板(13)と、前記セラミック基板(13)の両面にAl系の第1及び第2ろう材層(11,12)を介してそれぞれ積層接着された第1及び第2アルミニウム板(21,22)と、前記第1又は第2アルミニウム板(21,22)に積層接着されたヒートシンク(15)とを備えたヒートシンク付セラミック回路基板において、前記ヒートシンク(15)が、銅板(16)と、この銅板(16)の一方の面に圧延又は圧接にて積層接着された第3アルミニウム板(23)とにより構成され、前記第3アルミニウム板(23)が前記第1又は第2アルミニウム板(21,22)に直接積層接着されたことを特徴とするヒートシンク付セラミック回路基板。
IPC (6件):
H01L 23/373 ,  C04B 37/02 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/13 ,  H05K 1/02 ,  H05K 7/20
FI (6件):
C04B 37/02 B ,  H05K 1/02 F ,  H05K 7/20 B ,  H01L 23/36 M ,  H01L 23/12 C ,  H01L 23/12 J
Fターム (22件):
4G026BA16 ,  4G026BB27 ,  4G026BF20 ,  4G026BG22 ,  4G026BG25 ,  4G026BH07 ,  5E322AA11 ,  5E322AB06 ,  5E322FA05 ,  5E338AA01 ,  5E338AA02 ,  5E338AA18 ,  5E338BB71 ,  5E338BB75 ,  5E338CC01 ,  5E338EE02 ,  5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BB08 ,  5F036BD01 ,  5F036BD03 ,  5F036BD13
引用特許:
審査官引用 (5件)
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