特許
J-GLOBAL ID：200903092709537129
AlN基板用導電パターンの製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-344138
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196831
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 AlN基板との間の充分な接着強度および高い導電性を有する金属化膜を形成することである。【構成】 銅微粉末、チタン微粉末と結合剤を主成分とし有機溶剤を分散媒とする組成要素を混練分散することによりCu- Tiペーストを調製し、銅微粉末と結合剤を主成分とし有機溶剤を分散媒とする組成要素を混練分散することによりCuペーストを調製し、AlN基板上に上記Cu- Tiペースト層を形成し、そのCu- Ti層の上に上記Cuペースト層を形成して導電パターンを形成する。
請求項（抜粋）：
銅微粉末、チタン微粉末と結合剤を主成分とし、有機溶剤を分散媒とする組成要素を、混練分散することにより、Cu- Tiペーストを調製し、銅微粉末と結合剤を主成分とし有機溶剤を分散媒とする組成要素を混練分散することによりCuペーストを調製し、AlN基板上に上記Cu- TiペーストからなるCu- Ti層を形成し、そのCu- Ti層の上に上記Cuペーストの層からなるCu層を形成することを特徴とするAlN基板用導電パターンの製造方法。
IPC (3件)：
H05K 1/09
, H01L 23/12
, H05K 3/12
