半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小林良平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-078688
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243664
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】中心波長及び強度を制御することのできる半導体レーザ装置。【構成】半導体レーザの発振波長近傍の第1閾値波長λ1よりも短波長側で高い感度を有する第1モニタ用光検出器と、第2閾値波長λ2(ただし、λ2≧λ1)よりも長波長側で高い感度を有する第2モニタ用光検出器を設け、両者の検出強度比に応じて、ペルチエ素子により半導体レーザ素子の温度を変化させる。

請求項（抜粋）：

a)温度変化に伴い所定範囲内で発振波長が変動する半導体レーザ素子と、b)上記所定波長範囲内にある第1閾値波長λ1よりも短波長側で高い感度を有する第1モニタ用光検出器と、c)同じく上記所定波長範囲内にある第2閾値波長λ2(ただし、λ2≧λ1)よりも長波長側で高い感度を有する第2モニタ用光検出器と、d)半導体レーザ素子の温度を変化させる手段とを備えることを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-349678
特開昭58-171880
特開昭55-080384

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