特許

J-GLOBAL ID：200903092714503828

半導体装置

発明者： 原田 繁 ,  井上 道雄
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-281672
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132542
出願日： 1992年10月20日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 素子特性の経時変化が発生せず、かつ、信頼性(耐湿性)の高い半導体装置を得る。【構成】 シリコン半導体基板1の表面近傍に設けられたEEPROM素子2、および、その上部に形成された配線4は、保護絶縁膜10で覆われている。この保護絶縁膜のすべて、あるいは、一部として、その化学量論的組成よりもシリコンを過剰に含む膜や層を設けるようにした。【効果】 シリコンを過剰に含む膜や層の中に存在するSiダングリング・ボンドにより、水素がトラップされるので、EEPROM素子近傍まで水素が到達せず、素子特性の劣化を防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板・表面近傍に形成された半導体素子と、その上に形成された配線層を有し、これらの半導体素子や配線層を覆うように設けられた保護絶縁膜を有する構造において、保護絶縁膜の全て、あるいは、一部の膜が、プラズマを用いた化学気相成長法で形成した、化学量論的組成(O/Si=2.00 )よりもシリコンを過剰に含む、屈折率1.60〜1.75程度のシリコン酸化膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/314 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 N