特許

J-GLOBAL ID：200903092716773695

半導体光素子

発明者： 今泉 充
出願人/特許権者： 大同特殊鋼株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-095774
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264825
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 半導体光素子において、発光効率あるいは光電変換効率を実用可能な程度に向上させる。【構成】 発・受光層として量子ドットを含む層を複数積層して発・受光素子を構成する。

請求項（抜粋）：

半導体発・受光素子において、その発・受光層として、大きさが電子のドブロイ波長程度の断面寸法を持つ半導体からなる量子ドットと、この量子ドットを囲み、ポテンシャルエネルギーが前記量子ドットのポテンシャルエネルギーよりも高くエネルギー障壁として機能する半導体を有する層を複数層有する半導体光素子。