特許
J-GLOBAL ID：200903092718395264
銅前駆体混合物、およびそれを用いるCVD銅の形成方法、並びに被着性銅導体インターフェース
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-206237
公開番号（公開出願番号）：特開平10-140352
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1998年05月26日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 蒸着されたCuの抵抗率を損ねることなく、Cuの蒸着率が改善される、集積回路の表面にCVD銅を形成する方法を提供する。【解決手段】 CVD銅を形成する方法は、環境チャンバ54内部に位置する集積回路(IC)60の選択された表面62上に、CVD銅を形成する方法であって、a)該Cuを受け取る表面62を、該チャンバ54に導入され、該チャンバ圧に寄与する揮発性Cu(hfac)TMVS(銅ヘキサフルオロアセチルアセトネートトリメチルビニルシラン)前駆体に曝す工程と、b)同時に、該Cuを受け取る表面62を、該チャンバ圧の概して0.3〜3%の範囲の圧力で該チャンバ54に導入された水蒸気に曝す工程と、c)該工程a)および該工程b)に応じて該Cuを受け取る表面62上にCuを蒸着させる工程と、を包含している。
請求項（抜粋）：
チャンバ圧を有する、ウォールで囲まれた環境チャンバ内部に位置する集積回路(IC)の選択された領域上の、銅(Cu)を受け取る表面を含む該集積回路の選択された表面上に、CVD銅(Cu)を形成する方法であって、a)該Cuを受け取る表面を、該チャンバに導入され、該チャンバ圧に寄与する揮発性Cu(hfac)TMVS(銅ヘキサフルオロアセチルアセトネートトリメチルビニルシラン)前駆体に曝す工程と、b)該工程a)と同時に、該Cuを受け取る表面を、該チャンバ圧の概して0.3〜3%の範囲の圧力で該チャンバに導入された水蒸気に曝す工程と、c)該工程a)および該工程b)を継続して行いながら、該工程a)および該工程b)に応じて該Cuを受け取る表面上にCuを蒸着させる工程と、を包含しており、該工程b)で示された量の水分を該前駆体に添加することにより、Cuの蒸着レートおよび蒸着したCuの電導性を高める、CVD銅を形成する方法。
IPC (6件)：
C23C 16/18
, C01G 3/00
, C23C 16/52
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
, H01L 21/60 301
C23C 16/18
, C01G 3/00
, C23C 16/52
, H01L 21/285 C
, H01L 21/285 301 Z
, H01L 21/60 301 F
