特許
J-GLOBAL ID：200903092720968743
光電子集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-186528
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036962
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、感度が高く製造歩留りの高い光電子集積回路を提供すること目的とする。【構成】 本発明の光電子集積回路は半導体基板の表面上に表面入射型の受光素子と、この受光素子の出力を電気的処理し、モノリシックに形成された電子回路素子と、半導体基板の裏面側であって、受光素子に対応する部分に設けられた光反射面とを備えている。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面上に表面入射型の受光素子と、この受光素子の出力を電気的処理し、モノリシックに形成された電子回路素子と、前記半導体基板の裏面側であって、前記受光素子に対応する部分に設けられた光反射面とを備えた光電子集積回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 Z
, H01L 31/10
