特許
J-GLOBAL ID：200903092724548552
集積回路内の局所フィールド酸化物を形成する方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西山 善章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-077277
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061221
出願日： 1991年03月18日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】シリコン基板中に局所的フィールド酸化物を形成する新規かつ改良された工程を提供する。【構成】基板上にパッド酸化物が形成され、比較的薄い第一の窒化物層が該パッド酸化物上に形成される。該第一窒化物層上にはポリシリコン層が形成され、該ポリシリコン層上には第二の窒化物層が形成される。その後、該第一、第二窒化物層、およびポリシリコン層中にウィンドが空けられ、その中にフィールド酸化物を成長させる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板内に局所化されたフィールド酸化物を形成する方法であって、該基板上にパッド酸化物を形成することと、該パッド酸化物上に第一の窒化物層を形成することと、該第一窒化物層上にポリシリコン層を形成することと、該ポリシリコン層上に第にの窒化物層を形成することと、該第一、第二窒化物層およびポリシリコン層内にフィールド酸化物を成長させるためのウィンドを空けることを含むことを特徴とする局所フィールド酸化物の形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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