特許
J-GLOBAL ID：200903092725328033
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-197514
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099324
出願日： 1994年07月30日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】 特性の優れた薄膜半導体素子を歩留り良く得る。【構成】 基板としてコーニング7059等のガラス基板を用い、基板をその歪み温度(歪み点)以上の温度でアニールをしたのち、その温度から歪み点以下の温度まで徐冷する。その後、下地膜を形成してTFT等の薄膜半導体素子を作製する。基板の歪み点以上の温度でのアニールと徐冷によって、基板はその後の熱処理において収縮が少なく、その結果、TFTの活性層や下地膜にクラック等が発生する確率が低下し、歩留りが向上する。さらに半導体の結晶化を促進させ、良好な特性が得られる。
請求項（抜粋）：
ガラス基板をその歪み点以上の第1の温度で熱アニールする第1の工程と、前記第1の温度から2°C/分以下の速度で歪み点以下の第2の温度まで徐冷する第2の工程と、基板上に下地膜を形成する第3の工程と、第1の温度を越えない第3の温度にて、基板を処理する第4の工程と、を有する半導体装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
, H01L 21/324
, H01L 27/12
