半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-223476
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053250
出願日： 1999年08月06日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】アスペクト比がたとえば3以上と高い深孔内においても、均一性の高いキャパシタ絶縁膜を形成する。【解決手段】深孔42内に表面が粗面化された多結晶シリコン膜43を形成し、その表面を窒化処理してシリコン窒化膜を形成した後、第1酸化タンタル膜をCVD法で形成する。このCVD法の際には、ホットウォール型CVD装置を用い、50Pa程度の低い圧力で、基板温度をホットウォール面より低い温度にして被膜形成を行う。その後、基板を酸化性雰囲気で熱処理して第1酸化タンタル膜を結晶化し酸素欠陥を回復する。さらに、第2酸化タンタル膜を、ホットウォール型CVD装置を用いて前記同様に形成する。これにより、シリコン酸窒化膜、第1および第2酸化タンタル膜からなるキャパシタ絶縁膜44を形成する。

請求項（抜粋）：

立体構造を有する第1電極と、前記第1電極に対向して形成された第2電極と、前記第1および第2電極間に形成されたキャパシタ絶縁膜とからなる情報蓄積用容量素子を含む半導体装置であって、前記キャパシタ絶縁膜は、高誘電率の酸化金属化合物膜を含み、前記酸化金属化合物膜は、前記第1および第2電極間のいずれの領域においても、その膜厚が4nm〜7nmの範囲内、または、その膜厚分布が20%以内であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 651

Fターム (39件)：

5F083AD10 , 5F083AD31 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083AD60 , 5F083AD62 , 5F083GA06 , 5F083GA25 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA35 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083KA20 , 5F083MA03 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA19 , 5F083MA20 , 5F083PR12 , 5F083PR15 , 5F083PR21 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F083PR39 , 5F083PR40 , 5F083PR42 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR52 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR55

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