特許
J-GLOBAL ID：200903092727033510
高出力FET増幅器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-359797
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175747
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 マイクロ波帯信号を高出力増幅するFET増幅器において、バイアス回路を構成するトランジスタの温度変化によるFETの利得変化をなくす。【構成】 バイアス回路に組み込まれたトランジスタ10のコレクタ電圧を供給するラインにPN接合を有するダイオード30を追加し、トランジスタ10のPN接合による温度特性を補償する。
請求項（抜粋）：
電界効果トランジスタ(FET)をその飽和出力に近い動作点で使用し、マイクロ波帯信号を高出力増幅するFET増幅器と、高出力増幅時にFETのゲート側に流れる電流に係わらずFETのゲート電圧を一定に保持するバイアス回路とを備えた高出力FET増幅器において、上記バイアス回路は、該回路を構成する素子の温度変化による利得変化を補償する温度補償機能を有することを特徴とする高出力FET増幅器。
IPC (3件)：
H03F 1/30
, H03F 3/193
, H03F 3/20
