研磨用組成物

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-073030
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281848
出願日： 2003年03月18日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。【解決手段】研磨材として、平均粒径40nmのPMMAとジビニルベンゼンの共縮合物、過酸化水素、ベンゾトリアゾール(BT)、2,2’-ビピリジル、グリシンを0.5μmのカートリッジフィルターで濾過されたイオン交換水に混合し、高速ホモジナイザーで攪拌して均一に分散させて研磨用組成物を得た。

請求項（抜粋）：

(A)研磨材、(B)酸化防止剤、(C)2,2’-ビピリジル、(D)アミノ酸、(E)過酸化水素及び(F)水を含有する研磨用組成物であって、(A)研磨材が平均粒径5〜500nmの範囲にある有機高分子化合物であり、研磨材の研磨用組成物中の濃度が0.1〜20重量%であり、(B)酸化防止剤がベンゾトリアゾール又はその誘導体であり、研磨用組成物中の濃度が0.001〜0.5重量%であり、(C)2,2’-ビピリジルの研磨用組成物中の濃度が0.001〜0.5重量%であり、(D)アミノ酸がグリシン、アラニン、フェニルアラニン、ヒスチジンおよびトリプトファンからなる群より選択された少なくとも一つ以上の化合物であり、研磨用組成物中の濃度が0.01〜5重量%であり、(E)過酸化水素の研磨用組成物中の濃度が0.01〜5重量%であることを特徴とする研磨用組成物。

IPC (4件)：

H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14 , C09K13/00

FI (5件)：

H01L21/304 622D , B24B37/00 H , C09K3/14 550C , C09K3/14 550Z , C09K13/00

Fターム (5件)：

3C058AA07 , 3C058CB01 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17

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