特許

J-GLOBAL ID：200903092730469117

H2、NH3及び硫黄含有ガスを検知する微細加工薄膜センサーアレイ、並びにその製造及び使用方法

発明者： ディメオ,フランク,ジュニア. ,  バーム,トーマス,エイチ.
出願人/特許権者： アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-579767
公開番号（公開出願番号）：特表2004-519683
出願日： 2002年04月05日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

本発明は、有機金属種の化学的蒸着(MOCVD)若しくは物理的蒸着(PVD)によってミクロホットプレート構造上に形成された薄膜センサーエレメントを含む水素センサーを提供する。この薄膜センサーエレメントは、水素と可逆的に相互作用し、水素の不在における膜の応答特性に対する、光学透過性、電気コンダクタンス、電気抵抗、電気キャパシタンス、電磁抵抗、光伝導性などの対応した改質応答特性を提供する膜状の水素相互作用金属膜を含む。水素相互作用金属膜は薄膜水素浸透性バリア層で覆われ、非水素種との有害な相互作用から水素相互作用膜を保護する。水素浸透性バリアは、酸素を捕集する種およびその他同様の種を含んでなる。本発明の水素センサーは、水素の侵入又は発生しやすい環境において水素を検知するため有用に採用され、把持式装置として簡便的に構成されている。

請求項（抜粋）：

水素の侵入若しくは発生しやすい環境に曝されるよう配置された、希土類金属若しくは希土類金属二水素化物を含む少なくとも1つの水素相互作用薄膜センサーエレメントであって、前記希土類金属若しくは希土類金属二水素化物が水素に曝されると物理的特性の検知可能な変化を示す、水素相互作用薄膜センサーエレメントと、 前記水素相互作用センサーエレメントに結合され、該センサーエレメントを選択的に加熱する少なくとも1つのミクロホットプレート構造と、 水素を選択的に浸透させるための各水素相互作用エレメントを覆う水素浸透性物質であって、相変化を抑制する合金を含む水素浸透性物質と、 水素に曝されると前記希土類金属若しくは希土類金属二水素化物によって現れる物理的特性の前記検知可能な変化を検知するよう構成され、配置された検知器と、 を備える水素センサー。

IPC (4件)：

G01N27/04 ,  G01N21/59 ,  G01N27/12 ,  G01N27/22

FI (4件)：

G01N27/04 F ,  G01N21/59 Z ,  G01N27/12 B ,  G01N27/22 A

Fターム (49件)：

2G046AA04 ,  2G046AA05 ,  2G046AA10 ,  2G046AA14 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BE03 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA07 ,  2G046EA11 ,  2G046FB00 ,  2G046FE01 ,  2G046FE02 ,  2G046FE03 ,  2G046FE04 ,  2G046FE07 ,  2G046FE09 ,  2G046FE10 ,  2G046FE16 ,  2G046FE18 ,  2G046FE20 ,  2G046FE25 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE35 ,  2G046FE40 ,  2G046FE44 ,  2G046FE47 ,  2G059AA01 ,  2G059BB01 ,  2G059CC06 ,  2G060AA02 ,  2G060AB01 ,  2G060AB03 ,  2G060AB07 ,  2G060AF02 ,  2G060AF07 ,  2G060AF08 ,  2G060AF10 ,  2G060AG15 ,  2G060BA05 ,  2G060BB03 ,  2G060BB04 ,  2G060BB18 ,  2G060HB08 ,  2G060JA01 ,  2G060KA01