特許

J-GLOBAL ID：200903092734739836

半導体装置の製造方法

発明者： 花田 賢一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-195348
公開番号（公開出願番号）：特開2008-027956
出願日： 2006年07月18日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：

【課題】 レーザ加工時に発生する飛散物やダストを除去し、且つ半導体基板の損傷を抑制する。【解決手段】 半導体装置(被加工物)20のトレンチ形成では、表面に絶縁膜2が形成された半導体装置(被加工物)20表面に流水を流しながら、フォーカスレンズ5によりレーザ光4を所定のビーム幅に集光した集光後レーザ光6を半導体装置(被加工物)20に照射する。集光後レーザ光6が半導体装置(被加工物)20に照射されると照射部の絶縁膜2及びシリコン基板1の表面が溶融され、流水3により冷却され、トレンチ7aと、照射部周辺の絶縁膜2上に残渣物8aとが形成される。所定の深さのトレンチ7が形成されると、集光後レーザ光6は走査され、トレンチ7形成が終了した領域には、ノズルから高圧純水からなるウォータジェット9が噴射され、残渣物8が半導体装置(被加工物)20表面から剥離される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

被加工物である半導体装置表面を流水で覆いながら、前記半導体装置表面の所定領域にレーザ光を照射して、前記半導体装置表面をレーザ加工して所定の深さのトレンチを形成する工程と、 前記半導体装置表面に、前記レーザ光により溶融し、前記流水により固化・形成された残渣物をウォータジェット噴射により除去する工程と、 を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/304 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/12 ,  B23K 26/14

FI (5件)：

H01L21/302 201B ,  H01L21/304 601B ,  B23K26/38 330 ,  B23K26/12 ,  B23K26/14 Z

Fターム (13件)：

4E068AF01 ,  4E068CB00 ,  4E068CH08 ,  4E068CJ07 ,  4E068DA11 ,  5F004AA09 ,  5F004BB03 ,  5F004BB32 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02 ,  5F004DB08 ,  5F004EB04 ,  5F004EB05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• レーザ加工方法、レーザ加工装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-326865   出願人：株式会社東芝