特許
J-GLOBAL ID：200903092735213366
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-224261
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062933
出願日： 1991年09月04日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、半導体装置のコンタクトホールなどを埋め込む材料としてW(タングステン)などを使用する場合の密着層であるTiN膜の形成方法に関するもので、より良いステップカバレージと、低抵抗化を図ることを目的とするものである。【構成】 本発明は前記目的のために、TiN膜1,5を形成するに先立って、その下地膜としてTiリッチなTiSiX 膜1,4を形成するようにしたものである。
請求項（抜粋）：
高融点金属やその他の金属でコンタクトホールを埋め込むようなときに、前記金属とコンタクトホール底部の導電性シリコン膜との間の密着層として、該TiN膜の形成を行なう装置内で、先ずTiリッチなTiSiX 膜を形成してから、連続してTiN膜を形成するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/285
, H01L 21/3205
