特許

J-GLOBAL ID：200903092735340864

バンプの形成方法、デバイス、及び電子機器

発明者： 黒沢 弘文 ,  古沢 昌宏
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 渡邊 隆 ,  志賀 正武 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-015103
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228375
出願日： 2003年01月23日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：

【課題】コストを低く抑えることができ、また産業廃棄物も最少限に抑えることのできるバンプの形成方法、さらにこのような方法によって得られるバンプを有したデバイス、及び電子機器を提供する。【解決手段】基体上に半導体装置を実装する際に用いるバンプの形成方法である。基体又は半導体装置1のバンプ形成部に、金属微粒子を分散させてなる金属分散液4を液滴吐出法によって設け、次いで、バンプ形成部に設けられた金属分散液4を熱処理して金属製のバンプ6aを形成する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基体上に半導体装置を実装する際に用いるバンプの形成方法であって、 前記基体又は半導体装置のバンプ形成部に、金属微粒子を分散させてなる金属分散液を液滴吐出法によって設け、 次いで、前記バンプ形成部に設けられた金属分散液を熱処理して金属製のバンプを形成することを特徴とするバンプの形成方法。

IPC (1件)：

H01L21/60

FI (4件)：

H01L21/92 604Z ,  H01L21/60 311Q ,  H01L21/92 602D ,  H01L21/92 602E

Fターム (4件)：

5F044KK18 ,  5F044KK19 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04