特許

J-GLOBAL ID：200903092738436064

交流加熱によるゼーベック係数の測定方法およびこれに用いる測定用サンプルの構造

発明者： 山中 良亮 ,  里村 雅史 ,  山嵜 一郎
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 大島 泰甫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-242625
公開番号（公開出願番号）：特開2000-074862
出願日： 1998年08月28日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 導電性薄膜材料の膜厚方向のゼーベック係数を測定する。【解決手段】 測定サンプル6は、導電体2上に絶縁膜3、導電体2とは異なる導電性薄膜材料1が順に積層され、絶縁膜3の一部に薄膜材料1と導電体2とを電気的に接続する空間が形成された構造であり、この空間を介して薄膜材料1と導電体2とが電気的に接続されて熱電対を形成する。測定サンプル6に任意の周波数で交流加熱を行い、薄膜材料1と導電体2間に発生した電位差を測定し、薄膜材料1の熱伝導率および交流加熱により与えられる熱量から薄膜材料1の膜厚方向の温度差を算出し、電位差と温度差とに基づいて薄膜材料1の膜厚方向のゼーベック係数を算出する。

請求項（抜粋）：

導電性を有する薄膜材料をこれとは異なる導電体上に一部空間を有する絶縁膜を介して積層した測定用サンプルを用い、前記空間を介して薄膜材料と導電体とを電気的に接続して熱電対を形成し、前記サンプルに任意の周波数で交流加熱を行い、前記薄膜材料と導電体間に発生した電位差に基づいて前記薄膜材料の膜厚方向のゼーベック係数を算出することを特徴とする交流加熱によるゼーベック係数の測定方法。

IPC (3件)：

G01N 25/18 ,  G01N 27/00 ,  H01L 35/34

FI (3件)：

G01N 25/18 J ,  G01N 27/00 Z ,  H01L 35/34

Fターム (30件)：

2G040AB08 ,  2G040AB12 ,  2G040AB20 ,  2G040BA02 ,  2G040BA18 ,  2G040BA27 ,  2G040CA02 ,  2G040CA13 ,  2G040CA22 ,  2G040CB03 ,  2G040DA03 ,  2G040DA12 ,  2G040DA13 ,  2G040EA06 ,  2G040EB02 ,  2G040EC04 ,  2G040GC01 ,  2G040GC07 ,  2G040HA16 ,  2G040ZA05 ,  2G060AA01 ,  2G060AF03 ,  2G060AF13 ,  2G060AG03 ,  2G060EB03 ,  2G060EB08 ,  2G060HA02 ,  2G060HC21 ,  2G060HE03 ,  2G060JA10