特許

J-GLOBAL ID：200903092749178458

半導体装置の配線形成方法及び配線構造

発明者： 山口 宜洋
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-050709
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247652
出願日： 1997年03月05日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：

【要約】【課題】 0.35μm世代以降の半導体装置の配線構造であっても、所定の配線パターン通りに配線を形成できるように改良した配線形成方法を提供する。【解決手段】 本配線形成方法は、基板12上に配線層14、16、18を形成する工程と、配線層上に無機質系絶縁膜26をCVD法により成膜する工程と、絶縁膜上にレジスト膜20を成膜する工程と、レジスト膜をパターニングする工程と、レジスト膜をマスクにして、異方性エッチングにより絶縁膜をエッチングして配線パターンを形成する工程と、更に、異方性エッチングを進行させて配線パターンの断面が台形状になるように絶縁膜をオーバーエッチングする工程と、絶縁膜をマスクにして配線層をエッチングし、配線パターン通りに配線を形成する工程と、レジスト膜を除去し、次いで層間絶縁膜を形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

基板上に金属配線層を形成する工程と、金属配線層上に無機質系絶縁膜をCVD法により成膜する工程と、無機質系絶縁膜上にフォトレジスト膜を成膜する工程と、フォトレジスト膜をフォトリソグラフィによりパターニングして配線パターンを無機質系絶縁膜上に形成する工程と、フォトレジスト膜の配線パターンをマスクにして、異方性エッチングにより無機質系絶縁膜をエッチングし、無機質系絶縁膜の配線パターンを形成する工程と、更に、異方性エッチングを進行させて無機質系絶縁膜をオーバーエッチングし、配線パターンの断面を凸型のテーパー形状に形成する工程と、無機質系絶縁膜の配線パターンをマスクにして金属配線層をエッチングし、配線を形成する工程と、フォトレジスト膜を除去し、次いで層間絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の配線形成方法。