特許

J-GLOBAL ID：200903092757123662

静電容量型半導体圧力センサ

発明者： 近江 俊彦
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-106115
公開番号（公開出願番号）：特開平6-294695
出願日： 1993年04月07日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】 センサ感度を向上させ、空気等の導入口を容易に加工することができる静電容量型半導体圧力センサを提供する。【構成】 結晶シリコンウエハより枠内全面に薄膜状の感圧ダイヤフラム部3を変位自在に支持させた角枠状のフレーム2を作製し、感圧ダイヤフラム部3に可動電極5を形成する。フレーム2の上側に、シリコンカバー4を接合し、シリコンカバー4の内面に感圧ダイヤフラム部3が自由に微小変位できるように窪み7を形成させ、窪み7には可動電極5に対向させて固定電極6を形成する。また、導入口8,8を、固定電極6を挟んで対称となるように、シリコンカバー4の感圧ダイヤフラム部3と対向した領域の端部に貫通して設ける。

請求項（抜粋）：

弾性を有する感圧ダイヤフラム部を支持体に設け、当該支持体のいずれか一方の面に基板を接合し、可動電極を形成した感圧ダイヤフラム部と対向させて前記基板の内面に固定電極を設け、空気等の流体を導入するための孔状の導入口を前記基板に貫通させて設けた静電容量型半導体圧力センサにおいて、前記支持体及び前記基板は、それぞれシリコン製の薄板より作製されたことを特徴とする静電容量型半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/12 ,  H01L 29/84