電界効果型トランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-113642
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298194
出願日： 2000年04月14日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】ソース/ドレイン領域やゲート電極の形状、その形成プロセスに、従来構造と高い共通性を持たせ、縦型電界効果型トランジスタのLSIへの適用を容易とする。【解決手段】絶縁体上に、半導体の伝導経路が一定方向に配列され、伝導経路の配列方向に垂直な方向に対向するようにソース/ドレイン領域が設けられ、二つのソース/ドレイン領域は前記伝導経路により接続され、各伝導経路を成す半導体層の中央部に、絶縁膜を介してゲート電極が設けられ、各伝導経路を成す半導体層の両側面に絶縁膜を介してゲート電極が形成された領域はチャネル形成領域を成し、ゲート電極は、複数の伝導経路の中央部を跨ぐように、伝導経路の配列方向に沿って設けられ、各伝導経路においては、伝導経路を成す半導体層の両側面が主たる導通経路となり、各伝導経路の幅はソース/ドレイン領域に接する部分では大きく、チャネル形成領域付近では小さい構成とする。

請求項（抜粋）：

絶縁体上に、半導体からなる複数の伝導経路が一定方向に配列され、前記複数の伝導経路を挟んで、これら伝導経路の配列方向に垂直な方向に互いに対向するようにソース/ドレイン領域が設けられ、これら二つのソース/ドレイン領域は前記複数の伝導経路により導通するように接続され、前記の各伝導経路を成す半導体層の少なくともその中央部を含む領域に、絶縁膜を介してゲート電極が設けられ、前記の各伝導経路を成す半導体層の両側面に絶縁膜を介してゲート電極が形成された領域はチャネル形成領域を成し、前記ゲート電極は、少なくとも前記複数の伝導経路の中央部を跨ぐように、これら伝導経路の配列方向に沿って設けられ、前記の各伝導経路においては、伝導経路を成す前記半導体層の両側面が主たる導通経路となることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 29/41

FI (3件)：

H01L 29/78 618 C , H01L 29/44 Z , H01L 29/78 617 K

Fターム (71件)：

4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB19 , 4M104BB22 , 4M104BB30 , 4M104BB33 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD08 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD84 , 4M104DD92 , 4M104EE05 , 4M104EE09 , 4M104EE17 , 4M104FF01 , 4M104FF06 , 4M104FF11 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH14 , 5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE32 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG23 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG30 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ16 , 5F110HK05 , 5F110HK08 , 5F110HK13 , 5F110HK40 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP08 , 5F110QQ17 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-324607 出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-124414 出願人：富士通株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-246289 出願人：株式会社東芝

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