特許

J-GLOBAL ID：200903092760503999

電力用半導体素子

発明者： 南 良博 ,  四戸 孝 ,  附田 正則
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-176896
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074959
出願日： 1997年07月02日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】整流ダイオードの逆回復時の損失を素子破壊やノイズの発生を招かずに小さくすること。【解決手段】プロトン照射などの粒子線照射によりn型カソード層33内に第1の低キャリアライフタイム領域381 を形成し、プロトン照射などの粒子線照射によりp型アノード層32側のn型カソード層31内に第2の低キャリアライフタイム領域382 を形成する。

請求項（抜粋）：

高抵抗の第1の第1導電型半導体層と、この第1導電型半導体層の表面に形成された第1の第2導電型半導体層と、前記第1の第1導電型半導体層の前記第1の第2導電型半導体層側と反対側の表面に形成された第2の第1導電型半導体層と、この第2の第1導電型半導体層内に形成された第1の低キャリアライフタイム領域と、前記第1の第1導電型半導体層内に形成された第2の低キャリアライフタイム領域とを具備してなることを特徴とする電力用半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/744 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/91 J ,  H01L 29/74 C ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/78 658 H ,  H01L 29/91 D