特許

J-GLOBAL ID：200903092765459130

ポジ型レジスト組成物

発明者： 新田 和行 ,  佐藤 充 ,  佐藤 和史 ,  田中 初幸 ,  中山 寿昌
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-332223
公開番号（公開出願番号）：特開平6-161112
出願日： 1992年11月19日
公開日（公表日）： 1994年06月07日
要約：

【要約】【構成】 (A)放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(B)(イ)水酸基の10〜60モル%がtert-ブトキシカルボニル基で保護されたフェノール性水酸基含有化合物と(ロ)水酸基の5〜60モル%がtert-ブトキシカルボニル基で保護された水素化率1〜40モル%、重量平均分子量3000〜20000の水素化ポリヒドロキシスチレンとの混合物を必須成分として含有するポジ型レジスト組成物である。【効果】 化学増幅型で高感度及び高解像性を有し、特に断面形状に優れるパターンを形成できるエキシマレーザー用レジストとして好適である。

請求項（抜粋）：

(A)放射線の照射により酸を発生する化合物と、(B)酸を触媒とする反応によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する反応性を有する少なくとも1種の化合物とを含むポジ型レジスト組成物において、前記(B)成分の化合物が、(イ)水酸基の10〜60モル%がtert-ブトキシカルボニル基で保護されたフェノール性水酸基含有化合物と(ロ)水酸基の5〜60モル%がtert-ブトキシカルボニル基で保護された水素化率1〜40モル%及び重量平均分子量3000〜20000の水素化ポリヒドロキシスチレンとの混合物であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/031 ,  H01L 21/027