特許

J-GLOBAL ID：200903092767898034

プラズマ処理装置及びプラズマモニタリング装置

発明者： 御園生 守男 ,  遠藤 勝彦 ,  室山 雅和
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-307259
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167588
出願日： 1994年12月12日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】 試料の処理表面で均一なプラズマ処理を行えるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 反応室11内に補助磁場を形成するための補助コイル15が備えられたものであり、試料10の処理表面10a上のモニタ領域においけるプラズマ密度の分布状態を観察するプラズマモニタリング手段2と、記憶手段18を有する比較手段19とを備えている。比較手段19には、プラズマモニタリング手段2と補助コイル15の電流制御手段16が接続されている。記憶手段18は、同一プロセスにおけるプラズマ密度の基準分布状態を記憶するものである。比較手段19は、プラズマモニタリング手段2から得られたプラズマ密度の分布状態と基準分布状態とを比較して反応室内のプラズマを基準分布状態にするために補助コイル15に流す補正電流値を求め、この補正電流値を電流制御手段16に指示するものである。

請求項（抜粋）：

反応室内に補助磁場を形成するための補助コイルを備えたプラズマ処理装置において、前記反応室内に配置される試料の処理表面上に設定したモニタ領域におけるプラズマ密度の分布状態を観察するプラズマモニタリング手段と、同一プロセスでの前記モニタ領域におけるプラズマ密度の基準分布状態を記憶させる記憶手段と、前記プラズマモニタリング手段と前記記憶手段とに接続され、当該プラズマモニタリング手段から得られたプラズマ密度の分布状態と当該記憶手段に記憶された基準分布状態とを比較し、比較結果に基づいて前記モニタ領域のプラズマ密度の分布状態を前記基準分布状態に一致させるために前記補助コイルに流す補正電流値を得る比較手段と、前記比較手段と前記補助コイルとに接続され、前記補正電流値に基づいて当該補助コイルに流す電流を制御する電流制御手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  G06T 7/00 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (2件)：

H01L 21/302 E ,  G06F 15/62 400