特許

J-GLOBAL ID：200903092768994762

半導体装置の製造方法

発明者： 田中 徹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-306001
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145173
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】バリアメタル層の一部を残すことなく、大きさが均一で信頼性の高いバンプを有する半導体装置を低コストで製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板10に形成された電極パッド30の上層にバリアメタル層31aを形成し、電極パッド30領域に開口部を有する表面保護膜21を基板10上に形成し、開口部に埋め込んで金属層32aを形成し、金属層32aを溶融して電極パッド30に接続するバンプ32cをバリアメタル層31aの上層に形成する熱処理を行う。

請求項（抜粋）：

基板に形成された電極パッドの上層にバリアメタル層を形成する工程と、前記電極パッド領域に開口部を有する表面保護膜を前記基板上に形成する工程と、前記開口部に埋め込んで金属層を形成する工程と、前記金属層を溶融して前記電極パッドに接続するバンプを前記バリアメタル層の上層に形成する熱処理工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311

FI (5件)：

H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 604 E ,  H01L 21/92 604 F