特許

J-GLOBAL ID：200903092772562141

半導体装置の製造方法

発明者： 長谷川 英司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-077698
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318588
出願日： 1993年03月11日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】【目的】 薄い(10nm程度)の酸化膜を、トラップを形成する準位を少なく形成できるようにして、長期安定性の高い酸化膜を提供する。【構成】 シリコン半導体基体1上に急速熱酸化法または低温(300〜700°C)熱酸化法により極薄(1〜2nm)熱酸化膜2を形成し、その上に気相成長酸化膜3を所望の膜厚に成長させる。酸化性雰囲気中で熱処理を行って両酸化膜2、3間の準位を減少させると共に酸化膜3中の水分を蒸発させる。

請求項（抜粋）：

シリコン半導体の表面に熱酸化法により極薄熱酸化シリコン膜を形成する第1工程と、該極薄熱酸化シリコン膜上に気相成長法によりシリコン酸化膜を堆積する第2工程と、酸化性雰囲気中で熱処理する第3工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/26 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 311 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-426731
  
• 特開平4-324632
  
• 特開平3-006022